Image Sensor

Tuần này mình bắt đầu viết blog về image sensor.  Có khá nhiều thứ để nói về image sensor nhưng trước tiên mình sẽ đề cập về photodiode.

• Photodiode về tính năng hoạt động khá giống với diode. Nó cũng có một vùng thuận (forward bias) và vùng ngược (reverse bias), hy vọng là mình sử dụng từ tiếng việt đúng. Cơ cấu hoạt động của nó theo như hình vẽ 

• Khi có 1 photon tác động sẽ sinh ra một electron và một lỗ trống (tỉ lệ trong thực tế sẽ không được lý tưởng như vậy). Electron sẽ cố gắng đi về phía VDD và lỗ trống sẽ cố gắng đi về phía ground. Nhiều electron thì sẽ sinh ra dòng điện.
• Một điều cần lưu ý là năng lượng của photon (tính từ bước sóng) cần phải lớn hơn electron band gap để kích thích electron
  
• Dưới đây là bảng tham khảo năng lượng của các tần số phổ biến 

• Bandgap của Si là 1.1eV do đó để nhận biết tia hồng ngoại tần số thấp (far infrared red) thì ta cần dùng vật liệu khác.